10 октября 2000 года Жоресу Ивановичу Алфёрову была присуждена Нобелевская премия по физике.
Будущий нобелевский лауреат родился 15 марта 1930 года в Витебске Белорусской ССР. Родители дали ему имя в честь известного французского социалиста и борца за мир Жана Жореса. Окончив школу с отличием, Алфёров поступил в Белорусский политехнический институт на факультет энергетики, а затем без экзаменов был зачислен в Ленинградский электротехнический институт. Его профессиональный путь начался в Физико-техническом институте имени Иоффе.
Научная карьера Алфёрова была связана с изучением полупроводников - Алферов был разработчиком первых советских транзисторов. Важнейшим достижением стало изобретение гетеролазера, сделанное совместно с Рудольфом Казариновым на основе исследований гетеропереходов. За это выдающееся изобретение, заложившее основу для технологий компакт-дисков и оптико-волоконной связи, Жоресу Алферову была присвоена степень доктора физико-математических наук в 1970 году, а также медаль Стюарта Баллантайна (США). В дальнейшем Алфёров занимался исследованием свойств нано-структур. 10 октября 2000 года Жорес Иванович Алферов был удостоен Нобелевской премии по физике за выдающиеся исследования полупроводников, ставшие основой для современных IT-технологий.
Параллельно с наукой Алфёров вел активную политическую деятельность. С периода Перестройки он, будучи народным депутатом, а позднее – депутатом Госдумы, последовательно выступал против реформ, губительных для образования и науки. В 1999 году он был избран депутатом от Коммунистической партии Российской Федерации. Следуя программе партии, учёный боролся против деградации высшей школы и Академии наук, а также выступал с критикой проводимых социально-экономических реформ, включая пенсионную.
